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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
26
左右 27% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
26
读取速度,GB/s
18.4
19.7
写入速度,GB/s
12.3
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3452
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
INTENSO M418039 8GB
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