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AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
22
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
18.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
22
读取速度,GB/s
18.4
18.5
写入速度,GB/s
12.3
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
3392
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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