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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
67
左右 72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
67
读取速度,GB/s
18.4
14.4
写入速度,GB/s
12.3
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
1693
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
AMD R538G1601U2S 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
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