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AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
55
左右 65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
55
读取速度,GB/s
18.4
9.3
写入速度,GB/s
12.3
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2078
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
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