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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
14.2
18.2
写入速度,GB/s
10.0
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3559
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB RAM的比较
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
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