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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
15.4
16.5
写入速度,GB/s
9.2
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
3367
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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