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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
55
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
55
读取速度,GB/s
15.4
15.8
写入速度,GB/s
9.2
13.8
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2701
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
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