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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
73
左右 49% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
73
读取速度,GB/s
15.4
14.1
写入速度,GB/s
9.2
7.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
1609
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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