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AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
AMD R7S48G2400U2S 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
AMD R7S48G2400U2S 8GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R7S48G2400U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
61
74
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
AMD R7S48G2400U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
61
读取速度,GB/s
14.2
15.0
写入速度,GB/s
8.0
8.9
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1774
2028
AMD R7S48G2400U2S 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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