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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
38
读取速度,GB/s
12.6
9.0
写入速度,GB/s
9.5
7.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
1546
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
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