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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
12.6
16.5
写入速度,GB/s
9.5
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
2969
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
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