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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 -78% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
27
读取速度,GB/s
4,295.1
17.0
写入速度,GB/s
2,034.7
12.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
2379
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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