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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
20
25
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
25
读取速度,GB/s
19.1
21.0
写入速度,GB/s
13.1
19.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
4129
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
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