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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
比较
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
总分
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
37
左右 35% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR5
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
37
读取速度,GB/s
13.4
14.7
写入速度,GB/s
12.4
11.2
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3436
2698
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston FQ453-80003 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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