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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
54
读取速度,GB/s
16.0
15.2
写入速度,GB/s
10.3
14.3
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2938
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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