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Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
25
左右 -19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
25
21
读取速度,GB/s
18.6
16.4
写入速度,GB/s
12.9
12.8
内存带宽,mbps
10600
12800
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
3236
3108
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
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