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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
27
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.5
14.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2385
3510
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
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