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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
39
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
19
读取速度,GB/s
14.6
20.4
写入速度,GB/s
8.8
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3855
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
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