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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
14.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
28
读取速度,GB/s
14.6
18.2
写入速度,GB/s
8.8
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2355
3546
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
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