Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

总分
star star star star star
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

总分
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    18 left arrow 38
    左右 -111% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    20.5 left arrow 14.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    16.2 left arrow 8.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    38 left arrow 18
  • 读取速度,GB/s
    14.1 left arrow 20.5
  • 写入速度,GB/s
    8.7 left arrow 16.2
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2228 left arrow 3564
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较