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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
比较
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
总分
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.6
15.5
写入速度,GB/s
8.3
8.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2319
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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