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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
比较
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Kingston KGTWW1-MIE 4GB
总分
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
总分
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
97
左右 61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
97
读取速度,GB/s
12.8
15.5
写入速度,GB/s
9.1
6.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2099
1479
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB RAM的比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
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