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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
27
读取速度,GB/s
13.9
18.2
写入速度,GB/s
8.7
14.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
3510
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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