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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
比较
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
总分
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
总分
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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更快的读取速度,GB/s
14.5
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
8.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
38
读取速度,GB/s
13.9
14.5
写入速度,GB/s
8.7
10.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2106
2429
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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