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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
22
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
22
读取速度,GB/s
22.8
18.7
写入速度,GB/s
15.4
14.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3291
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
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