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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
45
左右 62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
45
读取速度,GB/s
22.8
16.2
写入速度,GB/s
15.4
14.1
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3027
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
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