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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
27
左右 37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
18.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
15.8
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
27
读取速度,GB/s
22.8
18.3
写入速度,GB/s
15.4
15.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3899
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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