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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
35
左右 51% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
35
读取速度,GB/s
22.8
15.2
写入速度,GB/s
15.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2773
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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