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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
26
左右 35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
26
读取速度,GB/s
22.8
14.0
写入速度,GB/s
15.4
8.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
2163
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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