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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
33
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
33
读取速度,GB/s
22.8
16.0
写入速度,GB/s
15.4
12.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
3082
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
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