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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
总分
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
总分
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
17
94
左右 82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.8
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
17
94
读取速度,GB/s
22.8
14.7
写入速度,GB/s
15.4
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3391
1506
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM的比较
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
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