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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

总分
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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB

差异 规格 评论

差异

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 39
    左右 -22% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    19.5 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    39 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    14.0 left arrow 19.5
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 14.9
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2489 left arrow 3430

Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较

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Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
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内存RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
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内存RAM
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
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内存RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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内存RAM
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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