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Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
64
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
64
读取速度,GB/s
14.0
16.8
写入速度,GB/s
9.0
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2489
2052
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.A1G9O.AQZ 2GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
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