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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
37
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
33
读取速度,GB/s
11.4
20.0
写入速度,GB/s
7.4
14.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3462
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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