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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
差异
规格
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
11.4
19.2
写入速度,GB/s
7.4
15.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3532
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
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