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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
100
左右 63% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
100
读取速度,GB/s
11.4
15.2
写入速度,GB/s
7.4
8.1
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
1479
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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