RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
比较
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
总分
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
51
左右 -183% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,839.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
18
读取速度,GB/s
4,246.9
21.3
写入速度,GB/s
1,839.1
15.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
721
3778
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link