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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
35
读取速度,GB/s
16.9
15.1
写入速度,GB/s
12.0
11.3
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2601
2631
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
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