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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
比较
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
总分
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
9.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.6
20.7
写入速度,GB/s
9.4
17.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2096
4033
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
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