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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,027.0
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
4,837.1
15.8
写入速度,GB/s
2,027.0
12.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
794
2935
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB RAM的比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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