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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
20.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
51
左右 -183% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
18
读取速度,GB/s
5,021.4
20.8
写入速度,GB/s
2,135.0
16.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3650
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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