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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
51
左右 -82% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
28
读取速度,GB/s
5,021.4
17.3
写入速度,GB/s
2,135.0
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3299
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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