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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
比较
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
总分
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
总分
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
21.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,135.0
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
5,021.4
21.9
写入速度,GB/s
2,135.0
16.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
855
3650
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
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