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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,378.6
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
62
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
30
读取速度,GB/s
4,670.6
16.8
写入速度,GB/s
2,378.6
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
3254
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
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