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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
比较
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
总分
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
总分
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
62
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.3
2,378.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
37
读取速度,GB/s
4,670.6
12.0
写入速度,GB/s
2,378.6
6.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
861
1878
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
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