RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
总分
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.7
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.9
19.7
写入速度,GB/s
8.4
13.0
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2251
3186
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link