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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
12.1
16.4
写入速度,GB/s
8.6
13.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3278
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
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