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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
30
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
30
读取速度,GB/s
12.1
17.5
写入速度,GB/s
8.6
14.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
3575
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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