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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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规格
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
25
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
22
读取速度,GB/s
12.1
18.1
写入速度,GB/s
8.6
12.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2580
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
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