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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
48
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.7
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
48
读取速度,GB/s
13.9
11.7
写入速度,GB/s
9.7
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
2568
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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